IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor），絕緣柵雙極型晶體管，是由BJT（雙極型三極管）和MOS（絕緣柵型場效應管）組成的復合全控型電壓驅動式功率半導體器件， 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大；MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。非常適合應用于直流電壓為600V及以上的變流系統如交流電機、變頻器、開關電源、照明電路、牽引傳動等領域。

    構成本土 IGBT 市場需求主體主要為智能電網、高鐵建設、電機節(jié)能與家電節(jié)能這四大領域。中國在智能電網與高鐵建設領域擁有國際領先技術，這些領域對 IGBT國產化需求迫切，而這種國產化突破更包含了 IGBT 技術的突破（該領域 IGBT 技術壁壘最高）。家電節(jié)能以空調、冰箱與洗衣機為主，這些領域中國家電企業(yè)已經具備一定的國際競爭力，更為 IGBT 國產化掃清了認知障礙。因此，龐大的市場基礎與需求方對 IGBT 技術國產化的迫切需求共同推動中國本土企業(yè)的技術創(chuàng)新，加速我國 IGBT 國產化進程：

    博思數據發(fā)布的《2017-2022年中國IGBT功率模塊市場深度調研與投資前景研究報告》，我國IGBT行業(yè)發(fā)展至今，已取得較大進展，雖然仍需大量進口，但已有一部分企業(yè)具備規(guī)�；�生產能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產量為190萬只，2015年增長至498萬只。

2010-2015年我國IGBT功率電器產量（萬只）

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    我國IGBT技術取得一定突破，應用需求巨大。IGBT芯片技術方面，中國南車建成全球第二條、國內首條8英寸IGBT芯片專業(yè)生產線，具備年產12萬片芯片、并配套形成年產100萬只IGBT模塊的自動化封裝測試能力，芯片與模塊電壓范圍實現從650V到6500V的全覆蓋。去年成功實現首批8英寸1700V IGBT芯片下線，8英寸3300V芯片已完成試制與測試，6500V芯片也已研發(fā)出合格樣品。IGBT模塊技術方面，封裝IGBT模塊所用芯片大多由英飛凌、ABB等國外公司提供，只有極少量的芯片由國內生產，國產IGBT芯片年產值不到1億元。但我國卻是全球最大的功率半導體消費市場，占全球市場的40%以上，未來一段時期仍將保持15%以上的速度增長，市場潛力巨大。其中，我國IGBT消費市場目前約80億元的規(guī)模（全球市場約300億元），到2020年可能達到300億元的規(guī)模。

    在新能源、節(jié)能環(huán)保“十二五”規(guī)劃等一系列國家政策措施的支持下，國內IGBT的發(fā)展獲得巨大的推動力，市場持續(xù)快速增長。2015年，國內IGBT市場規(guī)模達94.8億元。近幾年我國IGBT市場規(guī)模情況如下圖所示：

2008-2015年我國IGBT市場規(guī)模情況
 

資料來源：資料整理

    IGBT一方面擁有新技術帶來的廣闊的市場空間，另一方面從技術發(fā)展路線來看又對以往的功率器件有一個逐步替代的作用。目前我國IGBT市場占整個功率器件市場份額尚不足10%，預計未來幾年IGBT市場隨著節(jié)能減排的推進將得到快速發(fā)展。未來IGBT模塊在以下幾個領域將會有較大的突破。