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博思數(shù)據(jù)研究中心

深度:政策、資本、技術(shù)三重加持,外延設(shè)備國產(chǎn)化迎來黃金五年

2025-12-16            8條評論
導(dǎo)讀: 外延設(shè)備是指在半導(dǎo)體制造過程中,用于在襯底上生長單晶薄膜的核心工藝裝備,主要包括金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等。外延工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈(尤其是光電子、功率器件、射頻器件等領(lǐng)域)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響器件性能和良率。中國外延設(shè)備市場覆蓋LED、第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)、集成電路等多個高增長領(lǐng)域,是半導(dǎo)體國產(chǎn)化戰(zhàn)略的重要組成部分。

一、行業(yè)概念概況

外延設(shè)備是指在半導(dǎo)體制造過程中,用于在襯底上生長單晶薄膜的核心工藝裝備,主要包括金屬有機(jī)化學(xué)氣相沉積(MOCVD)、分子束外延(MBE)、化學(xué)氣相沉積(CVD)等。外延工藝是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈(尤其是光電子、功率器件、射頻器件等領(lǐng)域)的關(guān)鍵環(huán)節(jié),直接影響器件性能和良率。中國外延設(shè)備市場覆蓋LED、第三代半導(dǎo)體(SiC/GaN)、集成電路等多個高增長領(lǐng)域,是半導(dǎo)體國產(chǎn)化戰(zhàn)略的重要組成部分。
二、市場特點

    技術(shù)壁壘高:外延設(shè)備涉及材料科學(xué)、真空技術(shù)、精密控制等多學(xué)科交叉,技術(shù)密集度高,長期被國際巨頭(如美國的Veeco、德國的Aixtron)壟斷。

    應(yīng)用領(lǐng)域多元化:傳統(tǒng)LED外延需求穩(wěn)定,第三代半導(dǎo)體(新能源汽車、5G基站、光伏逆變器)成為新增長極,帶動MOCVD等設(shè)備升級。

    政策驅(qū)動明顯:國家“十四五”規(guī)劃、集成電路產(chǎn)業(yè)基金、碳化硅等新材料專項政策持續(xù)支持國產(chǎn)設(shè)備研發(fā)與采購。

    區(qū)域集群化:長三角(上海、安徽)、珠三角(廣東)、京津冀形成產(chǎn)業(yè)集聚,地方政府配套產(chǎn)業(yè)園和補(bǔ)貼政策。

三、行業(yè)現(xiàn)狀

    市場規(guī)模:2023年中國外延設(shè)備市場規(guī)模約120億元人民幣,同比增長18%,其中國產(chǎn)化率約25%(LED領(lǐng)域達(dá)40%,第三代半導(dǎo)體低于15%)。

    競爭格局:

        國際廠商:Veeco、Aixtron仍主導(dǎo)高端市場(尤其在SiC外延設(shè)備市占率超80%),但受出口管制影響供貨穩(wěn)定性。

        國內(nèi)廠商:中微公司(MOCVD)、北方華創(chuàng)(CVD)、晶盛機(jī)電(SiC外延設(shè)備)等加速突破,在LED和SiC領(lǐng)域已實現(xiàn)批量交貨。

    技術(shù)進(jìn)展:國產(chǎn)MOCVD在均勻性、耗氣量等參數(shù)接近國際水平,但6英寸以上SiC外延設(shè)備仍存在厚度均勻性、缺陷控制等差距。

    下游需求:新能源汽車(SiC模塊)、光伏儲能(IGBT)、Mini/Micro LED顯示推動設(shè)備訂單放量,國內(nèi)頭部晶圓廠擴(kuò)產(chǎn)周期拉動物料需求。市場規(guī)模



四、未來趨勢


    國產(chǎn)替代加速:美國技術(shù)封鎖倒逼下游廠商驗證國產(chǎn)設(shè)備,預(yù)計2025年國產(chǎn)化率將提升至35%以上。

    技術(shù)迭代升級:8英寸SiC外延設(shè)備、GaN-on-Si射頻器件設(shè)備成為研發(fā)重點;AI工藝控制、自動化集群式設(shè)備方案逐步普及。

    產(chǎn)業(yè)鏈垂直整合:設(shè)備商與材料企業(yè)(如襯底廠商)合作開發(fā)定制化外延解決方案,提升工藝協(xié)同效率。

    綠色制造需求:設(shè)備能效和減排指標(biāo)受關(guān)注,低功耗、廢氣回收技術(shù)將成為采購評估要素。

五、挑戰(zhàn)與機(jī)遇

    挑戰(zhàn):


        核心零部件依賴進(jìn)口:射頻電源、真空泵、高精度傳感器等仍受制于歐美日供應(yīng)商。

        人才缺口:跨學(xué)科研發(fā)及工藝工程師短缺,制約產(chǎn)品迭代速度。

        驗證周期長:半導(dǎo)體設(shè)備認(rèn)證需1-2年,客戶切換成本高。

    機(jī)遇:

        政策紅利:國家大基金三期、新材料首批次應(yīng)用保險等降低國產(chǎn)設(shè)備使用風(fēng)險。

        新興應(yīng)用爆發(fā):電動汽車滲透率提升(預(yù)計2030年SiC功率器件市場規(guī)模達(dá)100億美元)、光伏逆變器升級帶來持續(xù)需求。

        國際格局重塑:地緣政治促使本土晶圓廠構(gòu)建自主供應(yīng)鏈,設(shè)備商可借機(jī)深化合作。

六、建議

    短期:聚焦細(xì)分市場(如LED顯示、SiC二極管)實現(xiàn)快速滲透,通過性價比和服務(wù)響應(yīng)建立口碑。

    中期:聯(lián)合科研院所攻關(guān)關(guān)鍵零部件,參與行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)制定,提升技術(shù)話語權(quán)。

    長期:布局先進(jìn)封裝、量子點等前沿領(lǐng)域外延技術(shù),構(gòu)建平臺化設(shè)備能力。

    在這個過程中,博思數(shù)據(jù)將繼續(xù)關(guān)注行業(yè)動態(tài),為相關(guān)企業(yè)和投資者提供準(zhǔn)確、及時的市場分析和建議。

    《2026-2032年中國外延設(shè)備行業(yè)市場競爭格局與投資趨勢前景分析報告》由權(quán)威行業(yè)研究機(jī)構(gòu)博思數(shù)據(jù)精心編制,全面剖析了中國外延設(shè)備市場的行業(yè)現(xiàn)狀、競爭格局、市場趨勢及未來投資機(jī)會等多個維度。本報告旨在為投資者、企業(yè)決策者及行業(yè)分析師提供精準(zhǔn)的市場洞察和投資建議,規(guī)避市場風(fēng)險,全面掌握行業(yè)動態(tài)。

博思數(shù)據(jù)調(diào)研報告
中國外延設(shè)備市場分析與投資前景研究報告
報告主要內(nèi)容

行業(yè)解析
行業(yè)解析
全球視野
全球視野
政策環(huán)境
政策環(huán)境
產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
產(chǎn)業(yè)現(xiàn)狀
技術(shù)動態(tài)
技術(shù)動態(tài)
細(xì)分市場
細(xì)分市場
競爭格局
競爭格局
典型企業(yè)
典型企業(yè)
前景趨勢
前景趨勢
進(jìn)出口跟蹤
進(jìn)出口跟蹤
產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)查
產(chǎn)業(yè)鏈調(diào)查
投資建議
投資建議
報告作用
申明:
1、博思數(shù)據(jù)研究報告是博思數(shù)據(jù)專家、分析師在多年的行業(yè)研究經(jīng)驗基礎(chǔ)上通過調(diào)研、統(tǒng)計、分析整理而得,報告僅為有償提供給購買報告的客戶使用。未經(jīng)授權(quán),任何網(wǎng)站或媒體不得轉(zhuǎn)載或引用本報告內(nèi)容。如需訂閱研究報告,請直接撥打博思數(shù)據(jù)免費客服熱線(400 700 3630)聯(lián)系。
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